LMMBT3904LT1是一款通用型NPN双极性晶体管(BJT),由ON Semiconductor生产。该晶体管设计用于中等功率和开关应用,具备良好的高频响应和低饱和电压特性。它广泛应用于模拟和数字电路中的放大和开关功能,例如在信号调节、驱动电路和电源管理模块中。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(Vce):40V
最大集电极电流(Ic):200mA
最大功耗(Pd):300mW
最大工作温度:150°C
电流增益(hFE):100 - 300(取决于测试条件)
过渡频率(fT):100MHz
封装类型:SOT-23
LMMBT3904LT1具有多项优异的电气性能和可靠性特性。首先,它的最大集电极-发射极电压为40V,适用于多种电压等级的电路设计。其次,最大集电极电流为200mA,能够满足大多数中等功率需求。该晶体管的低饱和电压(Vce_sat)确保在开关应用中减少能量损耗,提高效率。此外,LMMBT3904LT1的过渡频率达到100MHz,使其在高频应用中表现良好,例如射频信号放大和高速开关电路。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接。
在可靠性方面,LMMBT3904LT1符合工业标准,具备较高的热稳定性和长期工作寿命。该器件的工作温度范围宽广,能够在-55°C至150°C之间稳定运行,适用于严苛环境条件下的应用。其电流增益(hFE)范围为100至300,根据不同的工作电流和电压条件,提供良好的放大性能。这种晶体管的高增益特性使得它在低噪声放大器和前置放大器电路中表现优异。此外,LMMBT3904LT1的封装设计有助于散热,确保在较高功耗下仍能保持稳定性能。
LMMBT3904LT1适用于多种电子电路中的开关和放大功能。常见应用包括数字电路中的逻辑门驱动、继电器和LED驱动电路、信号放大器、音频前置放大器以及电源管理模块。由于其高频特性,该晶体管也广泛应用于射频(RF)电路和无线通信设备中的信号处理模块。此外,在工业控制系统中,LMMBT3904LT1可用于传感器信号放大和调节,以及控制执行器的开关操作。消费类电子产品,如音频放大器、智能家电和手持设备中,也常常采用该晶体管以实现紧凑、高效的电路设计。
MMBT3904, 2N3904, BC547