类型：半桥功率级
　　技术：氮化镓（GaN）
　　输入电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电压范围：可调
　　最大输出电流：10A
　　开关频率：高达 2MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：FCQFN
　　封装尺寸：5.5mm x 5.5mm
　　保护功能：过热保护、过流保护、欠压锁定

LMG6912RPFC 的核心优势在于其基于 GaN 技术的高效能表现。该器件内部集成了两个 GaN FET 和一个高性能栅极驱动器，减少了外部元件数量，简化了设计并提高了系统的可靠性。由于 GaN 材料本身的特性，LMG6912RPFC 具有更低的导通损耗和开关损耗，使其在高频工作条件下依然保持高效。此外，该器件支持高达 2MHz 的开关频率，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升功率密度。LMG6912RPFC 还内置多种保护机制，包括过热保护（OTP）、过流保护（OCP）和欠压锁定（UVLO），以确保系统在各种工作条件下的稳定性和安全性。其紧凑的 FCQFN 封装设计进一步优化了 PCB 布局空间，适用于高密度电源模块的设计。
　　在热管理方面，LMG6912RPFC 设计有良好的散热性能，能够在高负载条件下维持较低的温升，确保长时间运行的可靠性。其驱动器部分具有快速响应能力，能够有效控制开关过程中的 dv/dt 效应，降低电磁干扰（EMI）。这些特性使得 LMG6912RPFC 成为高性能电源转换应用的理想选择。

LMG6912RPFC 主要用于需要高效率和高频操作的电源系统中，例如：
　　? 高密度 AC/DC 电源适配器和充电器
　　? 服务器和数据中心电源系统
　　? 电信基础设施设备
　　? 可再生能源转换系统（如太阳能逆变器）
　　? 工业自动化和电机驱动系统
　　? 高频 DC/DC 转换器模块
　　在这些应用中，LMG6912RPFC 可以显著提升电源系统的效率和功率密度，同时降低功耗和散热需求。

LMG5200、LMG6142、LMG6910、LMG6913、LMG6813