时间：2025/9/6 20:45:39
阅读：4
LMG6381QHGE 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的集成式 GaN（氮化镓）功率级器件，专为高效、高功率密度的电源转换应用而设计。该器件集成了一个650V、150A的GaN FET以及高侧和低侧驱动器，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器等应用。LMG6381QHGE采用先进的GaN技术，具备高速开关能力和低导通电阻，可显著提升电源系统的效率和功率密度。
类型：集成式 GaN 功率级
工作电压：650V
最大输出电流：150A
封装类型：QFN
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
导通电阻：150mΩ（典型值）
驱动方式：高侧和低侧驱动集成
开关频率：支持 MHz 级高频开关
保护功能：过温保护、欠压锁定
LMG6381QHGE 的核心优势在于其采用的GaN技术，使其在高频开关应用中表现出色。该器件具备极低的导通电阻（Rds(on)）和极低的开关损耗，能够在高频条件下保持高效运行，减少功率损耗。此外，集成的驱动器电路优化了GaN FET的驱动能力，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。
该器件还内置多种保护机制，包括过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）等，确保在各种工作条件下系统的稳定性和安全性。其QFN封装形式不仅体积小巧，还具有良好的热管理和电气性能，适合高密度电源设计。
LMG6381QHGE 支持多种拓扑结构，如半桥、全桥、同步整流等，适用于广泛的应用场景。由于其高速开关特性，该器件特别适合用于需要高效率和小体积的现代电源系统，如服务器电源、电信电源、工业电源、电动汽车充电系统等。
LMG6381QHGE 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电源系统中。典型应用场景包括：服务器和通信设备的高效DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、工业电源、高频逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）和直流快充系统等。由于其集成度高、性能优异，该器件也适用于需要紧凑设计和高性能的现代电力电子系统。
TI LMG5200、EPC2108、GaN Systems GS61004B、Infineon CoolGaN IPS 600W
