LMG3411R070 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能半桥功率级集成电路,由德州仪器(TI)推出。
该器件集成了两个 70mΩ 的 GaN FET 和驱动器,专为高频、高效能的开关电源应用而设计。其高开关速度和低导通电阻使其非常适合用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、无线充电以及其它需要高效能量转换的应用场景。
类型:半桥功率级
导通电阻(Rds(on)):70mΩ
工作电压范围:0V 至 200V
栅极驱动电压:5.6V
最大电流:36A
封装形式:QFN 8x8mm
工作温度范围:-55°C 至 150°C
LMG3411R070 具备以下关键特性:
1. 集成式半桥拓扑结构,减少了外部元件数量和电路复杂性。
2. 内置自举二极管,简化了驱动电路设计。
3. 支持高达 2MHz 的开关频率,可显著减小无源元件的尺寸。
4. 提供快速的动态响应和低开关损耗,从而提高整体系统效率。
5. 内部集成保护功能,例如过流保护和欠压锁定,确保可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于使用在现代绿色能源解决方案中。
LMG3411R070 主要应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器,如服务器电源和通信电源。
2. 图腾柱功率因数校正(PFC)电路。
3. 无线充电发射器,特别是支持高功率输出的设备。
4. 消费类电子产品的快充适配器。
5. 太阳能逆变器以及其他工业级电力电子设备。
LMG3411R050