LMG3410R070是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的功率级模块,集成驱动器和保护功能。该器件适用于高效率、高频开关应用,例如服务器电源、通信电源、太阳能逆变器以及工业电机驱动等场景。
LMG3410R070采用半桥拓扑结构,包含两个GaN FET,分别用于高端和低端开关。其封装形式为QFN-16(5mm x 5mm),具有低寄生电感和卓越的热性能。
额定电压:600V
额定电流:18A
Rds(on):70mΩ(典型值)
输入电容:920pF
总栅极电荷:12nC
反向恢复电荷:无(由于GaN技术特性)
工作温度范围:-55℃至+150℃
LMG3410R070利用了增强型GaN晶体管技术,提供超低的导通电阻和栅极电荷,从而显著降低传导和开关损耗。
该芯片内置驱动器和保护电路,能够简化设计并提高系统可靠性。它支持高达2MHz的开关频率,使设计人员能够减少被动元件尺寸,从而实现更紧凑的设计。
GaN晶体管的快速开关能力也使其非常适合软开关拓扑,如LLC谐振转换器或图腾柱PFC电路。
此外,LMG3410R070还具备过流保护、短路保护以及过温关断功能,确保在异常条件下安全运行。
LMG3410R070广泛应用于各种需要高效功率转换的领域:
1. 数据中心和服务器电源供应器
2. 通信基站电源
3. 太阳能微逆变器和优化器
4. 工业电机驱动和不间断电源(UPS)
5. 图腾柱无桥PFC设计
6. LLC谐振转换器
得益于其高频特性和高效率,该芯片特别适合于对体积和散热有严格要求的应用场景。
LMG3420R070