晶体管类型：双NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（表面贴装）
　　增益带宽积（fT）：100MHz（典型值）
　　直流电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）

LMDL914T1H 双NPN晶体管阵列具备多个显著的电气和封装特性，非常适合用于高频和中等功率的开关及放大电路。该器件的两个NPN晶体管在同一个芯片上制造，具有良好的匹配性，适合需要对称配置的电路设计，如差分放大器或双稳态触发器等。
　　每个晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极电流额定值为100mA，适用于中低功率应用。其高频特性表现良好，增益带宽积（fT）达到100MHz，使得该器件在射频（RF）和高频开关应用中表现出色。
　　该器件采用SOT-23封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）生产工艺，广泛用于便携式电子产品、通信设备、工业控制电路和消费类电子产品中。
　　此外，LMDL914T1H 的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度稳定性和可靠性，适合在恶劣环境下使用。其封装材料符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用场合。

LMDL914T1H 常用于以下应用场景：
　　1. 高频放大器：用于射频（RF）信号放大或低噪声前置放大器电路。
　　2. 开关电路：适用于数字逻辑电路、驱动继电器、LED指示灯或小型电机。
　　3. 差分放大器：用于构建高精度的差分放大电路，提供良好的信号匹配性。
　　4. 逻辑电平转换：在不同电压电平之间进行信号转换，如从3.3V到5V的系统接口。
　　5. 传感器接口：用于放大和处理来自传感器的小信号，如温度传感器、压力传感器等。
　　6. 工业控制：在PLC、继电器驱动和自动化控制系统中作为信号处理或开关元件。
　　7. 电源管理：用于构建小型稳压电路或负载开关，控制电源分配。

LMDL914T1G, LMDL914T1, BC847BS, MMBT2222A, 2N3904