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LMBZ5265BT1G 发布时间 时间:2025/8/13 10:31:20 查看 阅读:25

LMBZ5265BT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的低功耗、高精度的表面贴装双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件包含两个独立的NPN晶体管,采用SOT-23(也称为SC-59)封装,适用于需要高稳定性和高集成度的模拟和数字电路设计。LMBZ5265BT1G具有低饱和电压、高电流增益以及良好的热稳定性等特点,广泛应用于开关电源、逻辑电平转换、信号放大和驱动电路中。该器件符合RoHS标准,适合现代电子产品对环保和可靠性的要求。

参数

类型:NPN双极型晶体管阵列
  封装:SOT-23(SC-59)
  最大集电极-发射极电压(Vce):300V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Pd):300mW
  电流增益(hFE):110(最小)@ Ic=2mA, Vce=5V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-65°C至+150°C
  最大结温(Tj):150°C
  最大集电极-基极电压(Vcb):300V
  最大发射极-基极电压(Veb):5V

特性

LMBZ5265BT1G的主要特性之一是其高电流增益(hFE),能够在低电流条件下提供稳定的放大性能。每个晶体管的hFE值在2mA集电极电流和5V集电极-发射极电压下可达到110以上,确保信号放大的可靠性。此外,该器件具有较低的饱和电压(Vce_sat),在大电流导通状态下可以减少功耗和发热,提高系统的整体效率。
  另一个显著特性是其优异的热稳定性。由于采用先进的硅外延平面工艺和低热阻封装设计,LMBZ5265BT1G在高温环境下仍能保持稳定的性能。这使其适用于高温工作环境,如工业控制系统和汽车电子设备。
  LMBZ5265BT1G的SOT-23封装尺寸小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时其表面贴装封装形式有利于自动化生产和良好的焊接可靠性。这种封装也提供了良好的散热性能,有助于维持器件在较高工作电流下的稳定性。
  该器件还具有较高的电压耐受能力,集电极-发射极最大电压为300V,使其适用于高压开关应用。例如,在电源管理电路或高压信号控制中,LMBZ5265BT1G能够可靠地工作而不会出现击穿或损坏。这种高电压能力结合其良好的电流驱动能力,使其成为多种电源和信号控制应用的理想选择。

应用

LMBZ5265BT1G广泛应用于多种电子系统中,包括开关电源、LED驱动器、逻辑电平转换器、信号放大器和继电器驱动电路等。在电源管理应用中,它可以作为高压开关元件,控制负载的通断。在数字电路中,LMBZ5265BT1G可用于构建缓冲器、驱动器和电平转换电路,以提高信号的传输效率。
  在汽车电子系统中,该器件可用于驱动继电器、LED灯和其他执行器。其高热稳定性和宽工作温度范围使其适用于恶劣的汽车环境。此外,LMBZ5265BT1G还可用于工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出接口电路,用于放大和驱动信号。
  在消费类电子产品中,LMBZ5265BT1G常用于音频放大器的前置级、DC-DC转换器中的开关元件以及各类传感器信号调理电路中。由于其低功耗特性和小尺寸封装,非常适合用于便携式设备和电池供电系统。

替代型号

BC847系列, MMBT3904, 2N3904, BC547, 2N2222

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