LMBZ5247BLT1G 时间：2025/8/13 23:36:36 阅读：32

LMBZ5247BLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMT）齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件具有低动态阻抗和良好的温度稳定性，适用于需要高精度参考电压的电路设计。

参数

类型：齐纳二极管
　　功率耗散（Ptot）：200 mW
　　齐纳电压（Vz）：15V（标称值）
　　齐纳电流（Iz）：10 mA（测试电流）
　　最大齐纳电流（Iz_max）：100 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　引脚数：2
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LMBZ5247BLT1G 齐纳二极管具有多项优异的电气和机械特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，它采用SOD-123封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性。其次，该器件的动态阻抗（Zzt）非常低，能够在负载变化时保持稳定的输出电压，确保电路的精确性。此外，LMBZ5247BLT1G的反向漏电流（IR）在低于齐纳击穿电压时非常小，有助于减少电路中的静态功耗。
　　在可靠性方面，LMBZ5247BLT1G通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对稳定性和耐用性有高要求的应用环境。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的温度条件。此外，该器件的封装材料符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品设计。
　　电气性能方面，LMBZ5247BLT1G的齐纳电压在10 mA测试电流下为15V，最大偏差为±5%，确保了高精度的电压参考。其最大额定齐纳电流可达100 mA，支持较宽的负载调节范围。该器件的反向击穿电压具有良好的温度系数，能够在不同温度下保持电压稳定。

应用

LMBZ5247BLT1G 主要应用于需要稳定电压参考和过压保护的电子电路中。例如，在电源管理系统中，该齐纳二极管可用于为ADC（模数转换器）或其他模拟电路提供精确的参考电压。此外，它也常用于电池管理系统、DC-DC转换器、稳压电源和汽车电子控制系统中，以确保电路在设定电压范围内稳定工作。
　　由于其AEC-Q101认证，LMBZ5247BLT1G特别适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统。在工业控制和通信设备中，该器件可用于保护敏感电路免受电压波动的影响。此外，LMBZ5247BLT1G还可用于测试与测量设备、传感器接口电路以及嵌入式系统中的电压基准源。