LMBZ5230BLT1G 时间：2025/5/8 0:06:40 阅读：8

LMBZ5230BLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态过压事件的影响。该器件采用SOD-323小型封装，适合在空间受限的应用中使用。
　　该TVS二极管具有快速响应时间和低电容特性，适用于高速数据线和信号线路的保护。其单向极性设计使其特别适合直流供电线路或需要极性保护的场景。

参数

型号：LMBZ5230BLT1G
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SOD-323
　　工作电压（VRWM）：30V
　　击穿电压（VBR）：32.8V
　　最大箝位电压（VC）：49.6V
　　峰值脉冲电流（IPP）：17.8A
　　结电容（CJ）：15pF
　　响应时间：1ps
　　最大反向漏电流（ID）：1μA
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

LMBZ5230BLT1G具备以下显著特性：
　　1. 快速响应时间，能够迅速抑制瞬态过压脉冲，从而有效保护后端电路。
　　2. 高度可靠的性能，满足IEC 61000-4-2（±30kV接触放电）等国际标准的要求。
　　3. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电子产品中。
　　4. 低动态电阻，有助于降低箝位电压并提高保护效率。
　　5. 环保材料，符合RoHS指令要求。
　　6. 优异的热稳定性和电气稳定性，能够在极端温度条件下保持可靠运行。

应用

LMBZ5230BLT1G适用于多种应用场景，包括但不限于：
　　1. 消费类电子产品中的USB接口、HDMI接口和其他高速数据传输线的保护。
　　2. 工业设备中通信端口（如RS-232、RS-485）的过压保护。
　　3. 汽车电子系统中电源线和信号线的ESD防护。
　　4. 无线通信模块中的天线端口保护。
　　5. 医疗设备中的敏感电路保护，以确保设备的可靠性和安全性。