类型：齐纳二极管
　　工作电压：12V
　　功率：200mW
　　最大齐纳电流：17.6mA
　　封装类型：SOD-123
　　温度系数：±50ppm/℃
　　最大反向漏电流：100nA
　　工作温度范围：-55℃~150℃

LMBZ5225BT1G齐纳二极管具有良好的电压稳定性和低温度系数，能够在宽温度范围内提供稳定的参考电压。其SOD-123封装形式使其非常适合用于空间受限的高密度电路设计中。该器件的低功耗特性使其适用于电池供电设备和低功耗电源管理系统。此外，LMBZ5225BT1G具有良好的动态阻抗特性，能够快速响应电压波动，确保系统的稳定运行。其高可靠性设计使其适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品等多种应用场景。
　　在电气性能方面，LMBZ5225BT1G具有精确的电压容差控制，典型值为±1%，确保了电压调节的精度。其低反向漏电流特性（最大100nA）可以有效减少静态功耗，提高系统效率。该器件的快速响应时间和优异的瞬态抑制能力使其能够在电压波动较大的环境中提供可靠的电压稳定功能。

LMBZ5225BT1G广泛应用于需要精密电压参考的电路中，例如电源管理模块、电池充电器、电压监测电路、信号调理电路以及模拟和数字电路中的基准电压源。该器件特别适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、穿戴式电子产品以及各种低功耗嵌入式系统中。在工业自动化控制、传感器接口电路、通信设备以及汽车电子系统中，LMBZ5225BT1G也能发挥出色的电压稳定作用。此外，它还可以用于过压保护电路、稳压二极管阵列、DC-DC转换器反馈电路等需要高稳定性和高精度电压参考的场合。

LMVZ5225B-T/B、BZX84C12LT1G、MMBZ5225B