LMBZ5222BT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用SOD-123封装,具有小尺寸、高稳定性和低功耗的特点,适用于便携式设备、电源管理电路和电压保护电路。LMBZ5222BT1G的标称齐纳电压为2.7V,在测试电流下具有良好的电压稳定性,适合在低电压系统中使用。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-123(SMT)
齐纳电压(Vz):2.7V(@ 测试电流 Iz)
最大耗散功率:300mW
最大齐纳电流(Izmax):200mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
引脚数:2
极性:单极性
LMBZ5222BT1G 齐纳二极管具有多个关键特性,使其适用于各种电子电路中的电压参考和调节功能。首先,该器件采用了SOD-123表面贴装封装,体积小巧,便于集成到高密度PCB设计中,尤其适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
其次,LMBZ5222BT1G 提供2.7V的稳定齐纳电压,在额定电流范围内具有良好的电压精度和温度稳定性。其齐纳电压随温度变化较小,确保在不同环境条件下仍能保持精确的电压控制,适用于需要稳定电压参考的模拟和数字电路。
该器件的最大耗散功率为300mW,允许在相对较高的电流下工作,同时保持较低的热损耗。其最大齐纳电流可达200mA,满足多数中低功率应用需求。此外,LMBZ5222BT1G的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适应工业级和汽车级工作环境,具备良好的热稳定性和可靠性。
LMBZ5222BT1G还具有快速响应特性,能够在电压波动或瞬态变化时迅速稳定输出电压,提高电路的安全性和稳定性。由于其低漏电流和快速恢复特性,它也可用于电源管理和过压保护电路中,防止敏感元件因电压过高而损坏。
综上所述,LMBZ5222BT1G是一款性能优异、稳定可靠的齐纳二极管,适用于各种低电压参考、电源管理、电压调节和保护电路。
LMBZ5222BT1G 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电子系统中。常见应用包括:
1. 电压参考源:在模拟电路、ADC/DAC模块和电源管理芯片中提供精确的2.7V电压基准。
2. 电源管理电路:用于电池供电设备中的电压调节,确保系统在电池电压变化时仍能稳定工作。
3. 电压保护电路:作为过压保护元件,防止微处理器、传感器和其他敏感电子元件因电压波动而损坏。
4. 便携式电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等低功耗系统中,用于提供稳定的参考电压或作为电压钳位元件。
5. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的电压监控和信号调理电路,提高系统的稳定性和抗干扰能力。
LMVZ27B1G, MMSZ5222B, BZX84C2V7