LMBTH10WT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频晶体管。该器件专为需要高频率操作的应用而设计,具备优异的性能和可靠性,广泛应用于射频(RF)放大器、高速开关电路以及各种高频电路中。LMBTH10WT1G采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
晶体管类型:NPN型双极晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):50 V
最大集电极电流(IC):100 mA
最大功耗(PD):300 mW
频率范围:250 MHz
电流增益(hFE):110 @ IC = 2 mA, VCE = 5 V
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LMBTH10WT1G 具备多项优良特性,使其在高频电路设计中表现出色。首先,其高截止频率(fT)达到250 MHz,适用于射频放大和高速开关应用。其次,该晶体管具有良好的电流增益稳定性,在不同工作条件下保持较高的hFE值,确保电路的可靠性和一致性。
此外,LMBTH10WT1G采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具备良好的散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车级应用环境。
值得一提的是,LMBTH10WT1G的制造工艺符合RoHS标准,具有环保特性,适用于现代电子产品对环保的要求。其低饱和压降(VCE(sat))也有助于降低功耗,提高能效。这些特性使得LMBTH10WT1G在射频前端电路、无线通信模块、高频振荡器、放大器以及数字开关电路中得到了广泛应用。
LMBTH10WT1G 主要用于需要高频操作的电子系统中。典型应用包括射频功率放大器、无线发射模块、接收器前端放大器、高频振荡器以及高速数字开关电路。在通信设备中,如Wi-Fi模块、蓝牙模块、Zigbee模块等无线通信系统中,该晶体管可作为信号放大器或开关元件使用。
在消费类电子产品中,LMBTH10WT1G可用于无线音频传输、遥控器、智能穿戴设备等高频信号处理电路。在工业控制和汽车电子系统中,该晶体管也可用于传感器信号处理、远程通信模块以及车载无线系统等场景。此外,由于其良好的高频特性和稳定性,LMBTH10WT1G也适用于测试仪器、射频识别(RFID)系统、低噪声放大器(LNA)等高精度电子设备。
BC847B、2N3904、MMBT3904、BFQ54、2SC3355