晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LMBT6429LT1G 具有多种优异特性，使其在电子电路设计中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压为40V，适用于中低功率应用，如信号放大、逻辑电平转换和开关控制。其SOT-23封装形式体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于等级，这使其适用于多种放大电路设计。此外，LMBT6429LT1G具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频应用中也能保持良好的性能，适用于射频和数字开关电路。最大功耗为300mW，确保在低功耗系统中稳定运行。此外，该器件的封装材料符合RoHS标准，符合环保要求。

LMBT6429LT1G 适用于多种电子电路，包括但不限于以下应用场景：作为通用开关用于数字电路中的电平控制；作为放大器用于音频和射频信号放大电路；用于逻辑电平转换和缓冲电路；用于LED驱动电路和继电器驱动电路；用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子控制系统中的信号处理模块。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、PN2222A