LMBT5401LT1是一款双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件由ON Semiconductor制造,广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要高频和低噪声性能的场合。LMBT5401LT1采用SOT-23封装,适用于表面贴装技术(SMT),具有良好的稳定性和可靠性。
类型:PNP型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):80V
集电极-基极电压(VCBO):100V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
增益(hFE):在2mA时为110至800(取决于等级)
过渡频率(fT):100MHz
噪声系数:5dB(典型值)
LMBT5401LT1晶体管具有多项优良的电气特性,使其在许多应用中表现出色。首先,该晶体管的高过渡频率(fT)可达100MHz,使其适用于高频放大器和射频电路。其次,其低噪声系数(典型值为5dB)使其在低噪声前置放大器设计中具有优势。此外,LMBT5401LT1的增益(hFE)范围广泛,从110到800,这取决于具体型号等级,使其适用于不同的放大需求。该器件的集电极-发射极电压(VCEO)为80V,集电极-基极电压(VCBO)为100V,具有较高的电压耐受能力,适用于中等功率应用。此外,LMBT5401LT1采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并具有良好的热稳定性。
LMBT5401LT1晶体管广泛用于各种电子设备和电路中。其高频性能使其成为射频放大器、中频放大器和振荡器的理想选择。由于其低噪声特性,常用于音频前置放大器和传感器信号放大电路中。此外,该晶体管也可用于数字电路中的开关应用,如逻辑门电路和驱动小型继电器或LED显示器。LMBT5401LT1还常用于消费类电子产品、工业控制设备和通信设备中,提供可靠的信号放大和处理功能。
BCP56, BC847