晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LMBT5221BLT1G具有多项优异的电气特性和物理特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）达到100 MHz，表明该晶体管能够在高频环境下保持较高的电流增益，适用于射频（RF）放大和高速开关应用。其次，晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，这使得设计者可以根据不同的电路需求选择合适的工作点，提高了设计的灵活性。
　　此外，LMBT5221BLT1G的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，通常在100 mA集电极电流下小于0.25 V，有助于减少功率损耗并提高能效。晶体管的耐压能力也较强，集电极-发射极最大电压（VCEO）为50 V，使其能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　由于其采用SOT-23封装，LMBT5221BLT1G具备优良的热稳定性和机械稳定性，适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。

LMBT5221BLT1G广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高频响应和低功耗的场合。例如，它常用于射频放大器、信号放大电路、高速开关电路、逻辑电平转换器以及数字控制电路。此外，该晶体管还适用于电池供电设备、便携式电子产品、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）以及传感器接口电路。
　　在工业控制领域，LMBT5221BLT1G可用于继电器驱动、电机控制和电源管理电路。由于其高可靠性和稳定的电气性能，它也适用于汽车电子系统，如车载通信模块、照明控制系统和车载传感器接口。

BC847系列, 2N3904, MMBT5221, PN2222A