晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

LMBT495NELT1G具备优异的电气性能和稳定性，适用于各种中等功率放大和开关电路。其高电流增益（hFE）范围为110至800，允许设计者在不同工作条件下灵活选择偏置点，从而优化电路性能。此外，该晶体管具有100 MHz的过渡频率（fT），使其适用于高频应用，如射频放大器和高速开关电路。
　　LMBT495NELT1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具有良好的散热性能，能够在300 mW的最大功耗下保持稳定运行。晶体管的额定电压为30 V（Vce和Vcb），使其适用于多种电源电压配置，包括常见的5V、12V和24V系统。
　　该器件的可靠性也经过严格测试，符合工业标准，适用于对稳定性和寿命要求较高的应用场合，如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。其低饱和压降（Vce_sat）特性在开关应用中可有效降低功率损耗，提高系统效率。

LMBT495NELT1G广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业控制电路中的信号放大和开关控制；消费电子产品中的电源管理和驱动电路；通信设备中的射频放大和信号处理模块；以及汽车电子中的传感器接口和执行器驱动电路。
　　在工业自动化中，该晶体管常用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，作为信号放大或继电器驱动元件。在消费类电子产品中，如智能家电和LED照明系统，LMBT495NELT1G可用于电源开关或调光控制。在通信设备中，其高频特性使其适用于低噪声前置放大器和射频开关电路。而在汽车电子中，该器件可用于车灯控制、电动窗驱动以及车载传感器信号调节等场景。

BC847系列、2N3904、MMBT495N、2N4401