LMBT4413DW1T1G 时间：2025/8/14 2:14:27 阅读：19

LMBT4413DW1T1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款NPN型晶体管，属于通用用途的双极性晶体管（BJT）。这款晶体管采用了SOT-323封装，适用于小型电子设备和便携式应用。LMBT4413DW1T1G 设计用于高增益、高速开关应用，具有良好的稳定性和可靠性。该器件符合RoHS标准，适用于各种工业和商业应用。

参数

类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：40V
　　最大基极电流：5mA
　　最大耗散功率：300mW
　　电流增益（hFE）：在10mA时为110-800，根据等级不同
　　过渡频率：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

LMBT4413DW1T1G 具有多个显著的特性，使其在各类电子电路中表现出色。首先，它的高电流增益（hFE）范围为110到800，具体取决于等级，使得该晶体管能够有效地放大信号，并在开关应用中表现出色。其次，LMBT4413DW1T1G 的过渡频率为100MHz，这表明它能够在高频条件下保持良好的性能，适合用于射频和高速开关电路。
　　此外，LMBT4413DW1T1G 采用SOT-323封装，体积小巧，适合在空间受限的电路设计中使用。该封装形式还具有良好的热性能，确保了晶体管在工作时的稳定性和可靠性。LMBT4413DW1T1G 的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为40V，使其能够在中等功率条件下稳定工作。
　　这款晶体管的另一个显著特点是其宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。LMBT4413DW1T1G 还具有良好的热稳定性，能够在高温度条件下保持性能不变。此外，该器件符合RoHS标准，确保其环保性能，适用于现代电子制造中的绿色要求。

应用

LMBT4413DW1T1G 主要应用于需要高增益和高速开关特性的电路中。常见的应用包括信号放大电路、开关电路、逻辑电路、传感器接口电路以及各种便携式电子设备中的控制电路。在射频（RF）电路中，LMBT4413DW1T1G 可以用于低噪声放大器和混频器的设计，其高过渡频率特性使其能够在高频条件下保持良好的性能。此外，LMBT4413DW1T1G 还广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中，如手机、平板电脑、音频设备和电源管理系统。
　　由于其小型化封装，LMBT4413DW1T1G 特别适合用于高密度PCB设计，帮助设计师在有限的空间内实现更多功能。同时，其宽广的工作温度范围使其在工业环境和恶劣条件下也能保持稳定运行，适用于自动化设备、汽车电子系统以及户外通信设备。