类型：双N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大200mA（每个通道）
　　漏极-源极电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.85Ω（在VGS=4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值5.5nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装：SOT-363（6引脚）

LMBT4403DW1T1G具有低导通电阻，可有效减少导通损耗，提高系统效率。该器件的双MOSFET结构允许在两个独立的通道中进行控制，非常适合用于H桥驱动、双向开关和多路复用应用。
　　其TrenchFET技术提供了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，有助于实现更紧凑的设计。此外，LMBT4403DW1T1G还具备出色的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的SOT-363封装形式使其适用于表面贴装技术（SMT），有助于提高生产效率和降低制造成本。器件的栅极驱动电压范围较宽（2.5V至4.5V），兼容多种逻辑电平驱动电路，如微控制器和FPGA。
　　该器件具有低漏电流和快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动器和电池管理系统。

LMBT4403DW1T1G广泛应用于便携式电子设备、工业自动化、汽车电子和通信设备等领域。具体应用包括电源管理单元中的负载开关、马达驱动电路中的H桥结构、LED背光调节、电池充放电控制以及低电压逆变器设计。
　　由于其双MOSFET结构和小型封装，该器件特别适合用于需要高集成度和高效能的电路设计中。例如，在智能手表或智能手机中，它可以作为电源路径管理开关，实现对不同电源（如电池和USB）的无缝切换。
　　在工业控制系统中，LMBT4403DW1T1G可用于驱动小型电机、继电器和电磁阀等负载。在汽车电子应用中，它可用于车身控制模块（BCM）、车窗升降控制和LED照明系统等。
　　该器件的高频开关能力也使其适用于无线充电系统、无线传感器网络和物联网（IoT）设备中的电源管理模块。

Si2302DS, BSS138K, 2N7002, FDV301N, NDS355AN