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LMBT4403DW1T1G 发布时间 时间:2025/7/22 10:48:27 查看 阅读:6

LMBT4403DW1T1G是一款双N沟道增强型MOSFET晶体管,采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力。该器件主要用于电源管理、负载开关和电机控制等应用中。该MOSFET封装为SOT-363(也称为SC-70)小型封装,适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):最大200mA(每个通道)
  漏极-源极电压(VDS):20V
  栅极-源极电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):最大0.85Ω(在VGS=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):典型值5.5nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装:SOT-363(6引脚)

特性

LMBT4403DW1T1G具有低导通电阻,可有效减少导通损耗,提高系统效率。该器件的双MOSFET结构允许在两个独立的通道中进行控制,非常适合用于H桥驱动、双向开关和多路复用应用。
  其TrenchFET技术提供了更高的功率密度和更小的芯片尺寸,有助于实现更紧凑的设计。此外,LMBT4403DW1T1G还具备出色的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。
  该MOSFET的SOT-363封装形式使其适用于表面贴装技术(SMT),有助于提高生产效率和降低制造成本。器件的栅极驱动电压范围较宽(2.5V至4.5V),兼容多种逻辑电平驱动电路,如微控制器和FPGA。
  该器件具有低漏电流和快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、LED驱动器和电池管理系统。

应用

LMBT4403DW1T1G广泛应用于便携式电子设备、工业自动化、汽车电子和通信设备等领域。具体应用包括电源管理单元中的负载开关、马达驱动电路中的H桥结构、LED背光调节、电池充放电控制以及低电压逆变器设计。
  由于其双MOSFET结构和小型封装,该器件特别适合用于需要高集成度和高效能的电路设计中。例如,在智能手表或智能手机中,它可以作为电源路径管理开关,实现对不同电源(如电池和USB)的无缝切换。
  在工业控制系统中,LMBT4403DW1T1G可用于驱动小型电机、继电器和电磁阀等负载。在汽车电子应用中,它可用于车身控制模块(BCM)、车窗升降控制和LED照明系统等。
  该器件的高频开关能力也使其适用于无线充电系统、无线传感器网络和物联网(IoT)设备中的电源管理模块。

替代型号

Si2302DS, BSS138K, 2N7002, FDV301N, NDS355AN

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