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LMBT4401DW1T1G 发布时间 时间:2025/8/13 13:11:54 查看 阅读:20

LMBT4401DW1T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性NPN晶体管(NPN Bipolar Junction Transistor, BJT),专为通用放大和开关应用设计。该器件采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,适用于高密度PCB布局。LMBT4401DW1T1G具有良好的热稳定性和较高的电流增益,适用于低功率开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、电源管理等多种电子系统应用。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-323(SC-70)

特性

LMBT4401DW1T1G晶体管具备多项优良特性,适用于多种通用电子电路设计。其主要特性包括:
  1. 高电流增益(hFE):在典型工作条件下,LMBT4401DW1T1G的电流增益可达到110至800,具体取决于测试条件和电流水平,这使得它能够有效地用于信号放大和低功率开关应用。
  2. 小型表面贴装封装:采用SOT-323封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时支持自动化贴片工艺,提高生产效率。
  3. 优良的热稳定性:该晶体管在高温环境下仍能保持稳定工作,最大工作温度可达+150°C,适用于工业级和消费级电子设备。
  4. 快速开关能力:LMBT4401DW1T1G具备较快的开关响应时间,适合用于数字逻辑电路、脉冲调制和驱动LED等应用场景。
  5. 宽电压范围:最大集电极-发射极电压为40V,支持多种低压直流电源系统,适用于多种模拟和数字电路设计。
  6. 低饱和压降(VCE(sat)):在额定集电极电流下,其饱和压降较低,有助于减少功耗和发热,提高系统效率。
  7. 高可靠性:ON Semiconductor的制造工艺确保了该晶体管在长期使用中的稳定性和耐用性,适用于要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

LMBT4401DW1T1G广泛应用于各类电子系统中,典型应用包括:
  1. 低功率开关电路:用于控制继电器、小型电机、LED和传感器等负载的开关操作。
  2. 数字逻辑电平转换:作为电平转换器,将微控制器或逻辑IC的输出信号转换为更高电压或电流的信号,以驱动外部设备。
  3. 放大电路:用于音频放大、信号调理和传感器接口电路中的小信号放大。
  4. LED驱动:作为恒流源或开关元件,用于控制LED的亮度和开启/关闭状态。
  5. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压电路和负载开关等电源管理模块。
  6. 工业控制系统:用于PLC、工业传感器、自动化设备中的信号处理和驱动控制。
  7. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、家用电器等产品中的信号处理和电源管理电路。

替代型号

BC847NLT1G, MMBT4401, 2N3904, 2N4401, PN2222A

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