类型：PNP型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW（SOT-23封装）
　　频率响应：250MHz（典型值）
　　直流电流增益（hFE）：在2mA集电极电流时，典型值为100至300，依据不同分档
　　封装类型：SOT-23

LMBT3906LT1G晶体管具有多项显著特性，适合广泛的应用场景。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V，使其适用于中高压电路环境。其次，该晶体管的集电极电流额定值为100mA，足以满足多数低功率应用需求，同时具备足够的驱动能力。此外，其最大功耗为300mW，确保在SOT-23封装下具备良好的散热性能。
　　该器件的频率响应高达250MHz，表明其在高频应用中表现优异，例如射频（RF）放大器和高速开关电路。同时，其直流电流增益（hFE）在2mA集电极电流时典型值为100至300，依据不同分档提供更精确的电流控制能力，从而提升电路的稳定性与性能。
　　LMBT3906LT1G采用SOT-23小型表面贴装封装，适合自动化生产和高密度PCB布局，同时具备较高的机械强度和焊接可靠性。此外，该晶体管具有良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业级和消费类电子设备。

LMBT3906LT1G晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。其典型应用包括通用开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器驱动、音频放大器和传感器接口电路。在数字电路中，它常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，实现信号的高效控制。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于构建低噪声前置放大器、电压调节器和信号调制电路。由于其高频响应特性，LMBT3906LT1G也常用于射频前端电路和无线通信模块中的放大和混频应用。
　　此外，该晶体管适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于实现低功耗、高性能的电路设计。在工业控制领域，LMBT3906LT1G可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和电机控制电路，提供可靠的信号处理和功率控制能力。

BC3906, 2N3906, MMBT3906, PN2906