时间：2025/8/14 2:54:36
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LMBT3904WT1G是一款常用的NPN型晶体管，广泛应用于开关和放大电路中。该晶体管由安森美半导体（ON Semiconductor）制造，采用SOT-23封装，具有优异的性能和可靠性，适合在各种电子设备中使用。
类型：NPN晶体管
最大集电极电流（Ic）：200 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：60 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
电流增益（hFE）：100至300（取决于工作电流）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
LMBT3904WT1G晶体管具有良好的电流放大性能和快速开关特性，适用于多种通用应用。其高电流增益使其能够在低电流条件下有效工作，同时具备较高的耐压能力，能够在较宽的电压范围内稳定运行。此外，该晶体管的封装设计紧凑，便于在PCB上安装和使用。
该晶体管的hFE值范围广泛，确保在不同工作条件下都能提供可靠的放大性能。其低饱和电压特性有助于减少功耗，提高电路效率。LMBT3904WT1G还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在各种环境条件下使用。由于其广泛的应用范围和稳定的性能，它被广泛用于数字电路、模拟电路和电源管理电路中。
在实际应用中，LMBT3904WT1G晶体管常用于驱动继电器、LED、小型电机和其他负载设备。它的高可靠性和耐用性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。
LMBT3904WT1G晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：数字电路中的开关控制、模拟电路中的信号放大、电源管理电路中的负载驱动、工业自动化设备中的继电器驱动、消费电子产品中的LED控制以及汽车电子中的传感器接口。此外，它还可以用于音频放大器、数据采集系统和通信设备中的信号处理。
2N3904, BC847, PN2222
