晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：100 至 300（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70-6）

LMBT3904DW1T1G晶体管具备多项出色的电气和封装特性，非常适合多种通用电子应用。首先，该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为40V，能够在相对较高的电压下稳定工作，适用于电源管理和信号切换等场景。其次，最大集电极电流为100mA，能够满足中等功率的开关和放大需求。此外，该晶体管的过渡频率（fT）达到100MHz，表明其具有良好的高频响应性能，适合用于高速开关电路。
　　在封装方面，LMBT3904DW1T1G采用SOT-323（SC-70-6）封装形式，这是一种小型表面贴装封装，具有体积小、重量轻和安装方便的优点，非常适合用于高密度PCB设计。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化装配流程。
　　该器件的hFE（电流增益）范围为100至300，根据不同的工作电流条件而变化，确保了在不同偏置条件下的稳定放大性能。这种灵活性使其适用于多种放大和开关电路，如逻辑门驱动、继电器控制、LED驱动和音频放大器的前置级等。
　　LMBT3904DW1T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度适应能力，适合在各种工业和消费类环境中使用。同时，其最大功耗为200mW，表明其具有较低的功耗特性，有助于提高系统的能效。

LMBT3904DW1T1G晶体管适用于多种电子电路和系统，尤其在需要双晶体管集成的场合表现突出。其常见应用包括但不限于：数字逻辑电路中的开关和缓冲器、继电器和LED驱动电路、低频放大器的前置级、电源管理电路中的负载开关、传感器接口电路中的信号放大和转换、以及便携式电子产品中的低功耗设计。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输入输出接口电路，作为信号隔离和放大元件。在通信设备中，LMBT3904DW1T1G可用于数据总线驱动器、逻辑电平转换和射频前端的小信号放大。
　　在消费类电子产品中，该器件常用于智能手表、智能手机、无线耳机等设备中的电源管理模块，作为低功耗开关使用。此外，在汽车电子中，LMBT3904DW1T1G也可用于车载娱乐系统、仪表盘指示灯控制、车窗和座椅电机驱动电路等场景。

BC847BS、MMBT3904LT1G、FMMT3904、PN2222ADW1T1G