类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：60 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：100 - 300（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

LMBT3904-TLT1G晶体管具有多项优良特性，适用于广泛的电子电路设计。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够满足多数低功率应用的需求。其集电极-发射极电压（Vce）为40 V，集电极-基极电压（Vcb）为60 V，这使得它能够在较高的电压条件下稳定工作，提高了其在各种电路中的适用性。
　　其次，LMBT3904-TLT1G的封装形式为SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，并且具备良好的热管理和电气性能。这种封装形式也有助于提高生产效率和降低制造成本。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围为100至300，具体数值取决于测试条件。这意味着它在不同工作条件下都能提供可靠的放大性能。其过渡频率（fT）为100 MHz，表明该器件适用于高频放大和开关应用。
　　LMBT3904-TLT1G的最大功耗为300 mW，能够在较高的功耗条件下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下也能可靠工作。存储温度范围同样为-55°C至150°C，保证了器件在存储和运输过程中的稳定性。
　　综上所述，LMBT3904-TLT1G是一款性能优异、可靠性高的晶体管，适用于多种电子应用场合。

LMBT3904-TLT1G晶体管在电子工程中有着广泛的应用。由于其优良的电气性能和可靠性，它常用于数字和模拟电路中的开关和放大器设计。
　　在数字电路中，LMBT3904-TLT1G可以作为逻辑门、缓冲器和驱动器使用，适用于控制电路中的信号切换。其高频响应特性使其适用于脉宽调制（PWM）控制器、电源管理电路和数字隔离器等应用。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于音频放大器、信号放大器和传感器接口电路。由于其较高的增益带宽积，LMBT3904-TLT1G可以有效地放大高频信号，因此在射频（RF）前端电路、放大器和混频器中也有应用。
　　此外，LMBT3904-TLT1G还常用于电源管理和负载开关应用。例如，在DC-DC转换器、电池充电器和电压调节器中，它可以作为开关元件使用，实现高效的能量转换。
　　由于其SOT-23封装形式的紧凑性，该晶体管也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，LMBT3904-TLT1G可以用于控制背光、LED驱动和传感器信号处理等任务。
　　最后，LMBT3904-TLT1G也广泛应用于工业控制、自动化系统和通信设备中。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和数据采集系统中，该晶体管可以作为信号调理和开关控制的关键元件。

MMBT3904, 2N3904, BC847, PN2222