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LMBT35200MT1G 发布时间 时间:2025/6/3 20:13:55 查看 阅读:5

LMBT35200MT1G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能应用设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能,适合用于高频功率转换器、射频放大器和其他高性能电路中。
  这款芯片采用先进的封装技术,能够有效提升散热性能并降低寄生参数的影响,从而提高整体系统效率。其出色的性能使其成为传统硅基晶体管的理想替代方案。

参数

型号:LMBT35200MT1G
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
  最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:90nC
  反向恢复电荷:无(由于是单极性器件)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

LMBT35200MT1G 的主要特性包括:
  1. 极高的开关速度,可显著降低开关损耗。
  2. 氮化镓材料带来了优异的热稳定性和更高的功率密度。
  3. 集成了栅极驱动保护电路,增强了器件的鲁棒性。
  4. 低寄生电感封装,优化了高频性能。
  5. 支持硬开关和软开关拓扑,适用于多种应用场景。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  这些特性使得 LMBT35200MT1G 成为高频 DC-DC 转换器、无线充电设备、电机驱动器以及太阳能逆变器等应用的理想选择。

应用

LMBT35200MT1G 主要应用于以下领域:
  1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 射频功率放大器。
  3. 太阳能微逆变器和储能系统。
  4. 电动汽车充电设备。
  5. 工业电源和电机驱动。
  6. 无线充电和能量传输系统。
  由于其高效的开关特性和高温稳定性,该器件在需要高功率密度和高效率的应用中表现出色。

替代型号

LMBT34200MT1G, LMG3410R070

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