LMBT2907ALT1H 时间：2025/8/13 22:45:11 阅读：22

LMBT2907ALT1H 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于PNP型晶体管。该晶体管广泛用于需要中等功率开关和放大应用的电路中，其设计适用于高可靠性和稳定性，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。LMBT2907ALT1H 采用SOT-23封装，具有较小的尺寸和较高的集成度，适合在紧凑型电路设计中使用。

参数

晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：-600mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：-40V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：-40V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

LMBT2907ALT1H 具有多个优良的电气特性和可靠性特点，使其在各种应用中表现出色。首先，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），能够在低电流条件下提供稳定的放大性能，适用于需要高灵敏度的信号放大电路。其次，其最大集电极电流为-600mA，能够满足中等功率负载的开关控制需求，如继电器、小型电机和LED驱动电路等。此外，LMBT2907ALT1H 的最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为-40V，具备较强的电压承受能力，能够适应较为严苛的工作环境。该晶体管的最大功耗为300mW，结合SOT-23封装的良好散热设计，可在较高温度条件下稳定工作。另外，该晶体管的工作温度上限为150°C，具有良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。LMBT2907ALT1H 还具备较高的频率响应能力，其增益带宽积为100MHz，适合用于高频放大和开关应用。最后，该器件采用无铅封装，符合RoHS环保标准，符合现代电子产品的环保要求。

应用

LMBT2907ALT1H 主要用于中等功率的开关和放大电路中。其典型应用包括电源管理电路中的负载开关控制、工业自动化系统中的继电器驱动、LED照明驱动电路、电机控制电路以及模拟信号放大电路。此外，由于其高可靠性和良好的温度特性，LMBT2907ALT1H 也广泛应用于汽车电子系统中，如车身控制模块、车载传感器接口电路以及车载电源管理系统。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器的前置放大级、DC-DC转换器的开关控制以及电池充电管理电路。LMBT2907ALT1H 还可作为数字电路中的逻辑开关使用，例如在微控制器外围电路中控制外部设备的通断。