类型：NPN型BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：75V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：600mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236）

LMBT2222-ALT1G具备优异的高频响应能力，典型过渡频率（fT）可达250MHz，使其适合用于射频和高速开关应用。晶体管的电流增益（hFE）在不同工作条件下具有多个等级，通常在110至800之间变化，确保了在各种放大电路中的稳定性与适应性。
　　此外，该器件具有低饱和压降（VCE(sat)）特性，通常在150mV至300mV之间，有助于降低功耗并提高开关效率。其SOT-23封装体积小巧，便于在紧凑型电路板设计中使用，并具备良好的散热性能。
　　该晶体管还具有较高的可靠性，在极端温度和湿度环境下仍能保持稳定的工作性能。其符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保电子产品的制造。

LMBT2222-ALT1G主要应用于小信号放大电路、逻辑电路的开关控制、电源管理模块、射频前端电路以及工业自动化控制系统中。由于其良好的高频响应和电流驱动能力，它常用于音频放大器、DC-DC转换器、继电器驱动电路以及数字逻辑电路中的缓冲器和电平转换器。
　　此外，该晶体管在通信设备中也广泛使用，例如在无线基站、路由器和调制解调器中作为信号放大和切换元件。在汽车电子系统中，如车身控制模块、传感器接口电路和车载娱乐系统中也有广泛应用。

BC847系列, 2N3904, PN2222A, MMBT2222, 2N2222