LMBR4010H3T5G 时间：2025/8/14 1:55:51 阅读：26

LMBR4010H3T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基二极管（Schottky Diode），广泛用于高频率开关电源、整流器和保护电路中。该器件具有低正向电压降和快速恢复时间，适用于高效能电源转换应用。

参数

最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　正向连续电流（IF）：40A
　　正向电压降（VF）：约0.55V（在IF=40A时）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：200A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277

特性

LMBR4010H3T5G 是一款高性能肖特基二极管，其主要特性之一是具有较低的正向电压降，通常在 0.55V 左右，这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。该器件的最大重复反向电压为 100V，使其适用于多种中高压整流应用。其封装形式为 TO-277，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在高电流条件下工作。
　　此外，该器件的正向连续电流额定值为 40A，并能承受高达 200A 的峰值浪涌电流，适用于应对瞬态负载变化的场合。其快速恢复时间和无反向恢复电荷的特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高系统整体效率。
　　该肖特基二极管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境下稳定运行。LMBR4010H3T5G 的封装设计优化了 PCB 布局空间，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和大批量应用。

应用

LMBR4010H3T5G 肖特基二极管常用于多种电源管理与转换系统中，例如直流-直流（DC-DC）转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池充电器以及各种高频开关电源。其低正向压降和高电流能力使其成为提高电源效率的理想选择。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、DC-DC 转换模块和电机控制电路中的续流保护。此外，LMBR4010H3T5G 也广泛应用于工业自动化设备、通信电源系统以及消费类电子产品中的电源整流与保护电路。
　　由于其具备高浪涌电流承受能力，LMBR4010H3T5G 也可用于瞬态电流保护和电源反向极性保护电路中，确保系统在异常情况下的稳定运行。