LMBR140ET1G是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的肖特基势垒技术,具备低正向电压降和快速开关特性,适用于高频率整流和功率因数校正电路。该二极管采用紧凑的表面贴装封装,适合现代电子设备中对空间和热管理要求较高的设计。
类型:肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大平均整流电流(IF(AV)):1A
正向压降(VF):0.45V(典型值,IF=1A)
最大反向漏电流(IR):0.1mA(典型值,VR=40V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123
引脚数:2
LMBR140ET1G具备多项优异的电气和热性能,适用于高效率电源系统。其主要特性包括低正向压降,有助于降低功率损耗并提高能效;快速开关能力,使其适用于高频整流和开关电源应用;同时具备较低的反向漏电流,确保在高温环境下仍能稳定工作。
此外,该器件采用SOD-123封装,具有良好的热管理和小型化设计,适合自动化装配工艺。其宽工作温度范围使得该二极管能够在严苛环境下稳定运行,适用于工业控制、消费类电子、通信设备以及便携式电源系统等广泛的应用场景。
该器件还具有高可靠性和良好的耐久性,符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺制造流程。由于其出色的性能和广泛适用性,LMBR140ET1G被广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器以及电源管理系统中。
LMBR140ET1G主要用于需要高效能和快速响应的电源转换系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、升压和降压转换器、功率因数校正(PFC)电路、电池充电器、LED照明驱动电路、适配器和电源模块等。此外,该器件也常用于通信设备、工业自动化系统、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理部分。由于其紧凑的封装和良好的热性能,特别适合空间受限且对能效要求较高的便携式设备设计。
MBR140, SB140, 1N5819