LMBR130FT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装肖特基二极管,专为高频率和低电压应用设计。该器件采用紧凑的 SOD-123 封装,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于电源管理、DC/DC 转换器和电池充电等场景。
最大重复反向电压 (VRRM):30V
最大平均整流电流 (IF(AV)):1A
正向压降 (VF):0.35V(典型值,IF=1A)
最大反向漏电流 (IR):0.1mA(VR=30V,25°C)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
安装类型:表面贴装
LMBR130FT1G 具有多个关键特性,使其在低电压、高频率应用中表现出色。
首先,该肖特基二极管的正向压降较低,典型值为 0.35V,在 1A 正向电流下仍能保持较低的导通损耗,有助于提高电源转换效率。
其次,它具备快速恢复时间,通常小于 10ns,使其适用于高频开关电路,如 DC/DC 转换器、同步整流器和电源管理模块。
此外,LMBR130FT1G 采用 SOD-123 封装,尺寸紧凑,适合空间受限的 PCB 设计。该封装还具有良好的热性能,能够在较高温度环境下稳定运行。
其最大重复反向电压为 30V,最大平均整流电流为 1A,适合中等功率的低压系统应用。
该器件符合 RoHS 标准,无铅封装,适用于环保要求较高的电子产品设计。
在可靠性方面,LMBR130FT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适合工业级应用,并可在高温环境下长时间运行。
LMBR130FT1G 主要用于以下应用场景:
1. 电源管理系统:在便携式电子设备、电池供电系统中作为整流和反向保护元件。
2. DC/DC 转换器:用于同步整流拓扑中,提高转换效率并降低功耗。
3. 电池充电电路:作为充电路径中的整流元件,确保电流单向流动。
4. 负载开关与电源多路复用:在多个电源源之间进行切换,提供低损耗通路。
5. 工业控制和通信设备:用于电源模块、接口保护和信号整流。
6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理电路。
7. 通信基础设施:用于电信设备的电源模块中,提供高效率的整流解决方案。
MBR130T3G, LMBR130WT1G, 1N5819W-13-F, VS-1N5819-E3