时间：2025/8/14 16:36:07
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LMBR120ESFT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用先进的T3FLAT?表面贴装封装技术。该器件具有低正向压降、快速开关特性和高可靠性，适用于高效率电源转换和整流应用。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
最大平均整流电流（IF(AV)）：1A
正向压降（VF）：最大0.35V（在IF=1A时）
反向漏电流（IR）：最大100μA（在VR=20V时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：T3FLAT（SOD-123FL）
安装类型：表面贴装
LMBR120ESFT1G 肖特基二极管具有以下主要特性：
1. **低正向压降**：该器件在1A正向电流下的最大正向压降仅为0.35V，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这种低VF特性使其在高电流应用中表现优异，能够有效降低温升，提升系统稳定性。
2. **快速开关性能**：作为肖特基二极管，LMBR120ESFT1G具有极短的反向恢复时间（trr），几乎可以忽略不计，非常适合高频开关电源和DC-DC转换器应用。这种快速响应能力有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
3. **高可靠性设计**：该器件采用先进的硅芯片技术和稳定的封装材料，能够在恶劣环境下保持稳定的电气性能。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合工业级和汽车电子应用。
4. **小型化封装**：T3FLAT（SOD-123FL）封装尺寸小巧，节省PCB空间，适合高密度电路设计。同时，其表面贴装（SMD）形式便于自动化生产和回流焊工艺，提高制造效率。
5. **优异的热性能**：尽管体积小，该封装仍具备良好的散热能力，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。这使得LMBR120ESFT1G在紧凑型电源设计中具有明显优势。
6. **环保合规**：该器件符合RoHS和REACH标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。
LMBR120ESFT1G 主要适用于以下应用领域：
1. **电源管理**：包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关和电池充电器等，用于提高转换效率并减少发热。
2. **便携式设备**：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理系统，得益于其小封装和低功耗特性。
3. **工业控制系统**：用于PLC、传感器和工业自动化设备的电源整流和保护电路。
4. **通信设备**：在基站、路由器和交换机等通信设备的电源模块中，用于高效整流和反向电压保护。
5. **汽车电子**：适用于车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动电路，满足汽车电子对可靠性和温度适应性的严格要求。
6. **消费电子产品**：如电视机、音响系统和家用电器中的电源和接口保护电路。
LMBR120ET1G、MBRS120LT1G、1N5819W-T、SS14
