类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压：200V
　　最大平均正向电流：1.2A
　　正向压降（IF=1.2A，TA=25°C）：典型值0.48V，最大值0.60V
　　反向漏电流（VR=200V，TA=125°C）：最大值10μA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LMBR1200ET1G采用了ON Semiconductor的先进肖特基势垒技术，具有非常低的正向压降，这有助于减少功率损耗并提高电源转换效率。该器件在高温下仍能保持稳定的性能，反向漏电流在高温条件下控制在非常低的水平，确保系统在恶劣环境下也能可靠运行。
　　其快速开关特性使其适用于高频电源转换器，减少开关损耗并提高系统响应速度。TO-252封装提供了良好的散热性能，能够承受较高的功率密度，并且支持表面贴装工艺，简化了PCB组装流程。
　　此外，LMBR1200ET1G具有较高的浪涌电流承受能力，能够在瞬态条件下保护电路不受损坏，从而提高系统的稳定性和使用寿命。

LMBR1200ET1G广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动器、反激式变换器和同步整流电路。由于其低正向压降和快速恢复特性，该器件在提高电源效率方面发挥着关键作用。
　　在工业控制和自动化系统中，LMBR1200ET1G可用于电源适配器、伺服驱动器和变频器等设备。此外，该肖特基二极管也适用于通信设备中的电源模块，确保稳定的电压转换和高效能运行。
　　由于其紧凑的封装和良好的热管理能力，LMBR1200ET1G也被广泛应用于空间受限的便携式电子产品和汽车电子系统中。

LMBR1200ET1G的替代型号包括Vishay的VS-1.5KE200A-M3/54和STMicroelectronics的STPS1L20A。这些型号在电气特性、封装形式和应用领域上与LMBR1200ET1G相近，可作为替代选项考虑。