时间：2025/8/14 1:16:53
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LMBR1100ET1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基二极管，广泛用于各种电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，提供了低正向压降和快速开关特性，适用于对效率和性能要求较高的电子系统。
最大重复反向电压（VRRM）：100 V
最大正向电流（IF）：1 A
正向电压（IF=1A时）：典型值0.32 V，最大0.42 V
反向漏电流（IR@100V）：最大5 μA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：PowerSOT-23（SMD）
LMBR1100ET1G肖特基二极管具有多项优良的电气特性。首先，其低正向压降（在1A电流下最大为0.42V）可以显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的快速恢复时间（trr）非常短，通常在纳秒级别，这使得它非常适合用于高频开关应用。此外，LMBR1100ET1G采用PowerSOT-23的小型封装形式，节省了PCB空间，适合高密度电路设计。其反向漏电流极低，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。LMBR1100ET1G还具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温条件下长时间工作而不会影响性能。由于其表面贴装封装，该器件适用于自动化生产和回流焊工艺，提高了制造效率。
值得一提的是，LMBR1100ET1G的封装材料符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，符合环保要求。这使得该器件可以广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
LMBR1100ET1G肖特基二极管适用于多种电子电路和系统。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路中，用于提高效率和降低功耗。在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件可用于电源路径管理，确保系统在不同电源之间平稳切换。在工业控制系统中，LMBR1100ET1G可用于逆变器、UPS（不间断电源）和电机驱动器等应用，提供高效的功率转换。在通信设备中，该二极管可用于电源模块和信号处理电路中，确保系统的稳定性和可靠性。此外，LMBR1100ET1G也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车载娱乐系统和车身控制模块，满足汽车应用对可靠性和耐久性的高要求。由于其小型封装和高性能特性，LMBR1100ET1G也常用于便携式设备和空间受限的设计中。
MBR1H100, RB118FM-TR, 1N5819WS-13-F
