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LMBR1100ET1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:16:53 查看 阅读:16

LMBR1100ET1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基二极管,广泛用于各种电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,提供了低正向压降和快速开关特性,适用于对效率和性能要求较高的电子系统。

参数

最大重复反向电压(VRRM):100 V
  最大正向电流(IF):1 A
  正向电压(IF=1A时):典型值0.32 V,最大0.42 V
  反向漏电流(IR@100V):最大5 μA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装形式:PowerSOT-23(SMD)

特性

LMBR1100ET1G肖特基二极管具有多项优良的电气特性。首先,其低正向压降(在1A电流下最大为0.42V)可以显著降低功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的快速恢复时间(trr)非常短,通常在纳秒级别,这使得它非常适合用于高频开关应用。此外,LMBR1100ET1G采用PowerSOT-23的小型封装形式,节省了PCB空间,适合高密度电路设计。其反向漏电流极低,在高温环境下仍能保持良好的稳定性,增强了器件在恶劣环境下的可靠性。LMBR1100ET1G还具有良好的热稳定性和耐久性,能够在高温条件下长时间工作而不会影响性能。由于其表面贴装封装,该器件适用于自动化生产和回流焊工艺,提高了制造效率。
  值得一提的是,LMBR1100ET1G的封装材料符合RoHS标准,不含铅和其他有害物质,符合环保要求。这使得该器件可以广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

应用

LMBR1100ET1G肖特基二极管适用于多种电子电路和系统。在电源管理领域,它常用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路中,用于提高效率和降低功耗。在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该器件可用于电源路径管理,确保系统在不同电源之间平稳切换。在工业控制系统中,LMBR1100ET1G可用于逆变器、UPS(不间断电源)和电机驱动器等应用,提供高效的功率转换。在通信设备中,该二极管可用于电源模块和信号处理电路中,确保系统的稳定性和可靠性。此外,LMBR1100ET1G也适用于汽车电子系统,如车载充电器、车载娱乐系统和车身控制模块,满足汽车应用对可靠性和耐久性的高要求。由于其小型封装和高性能特性,LMBR1100ET1G也常用于便携式设备和空间受限的设计中。

替代型号

MBR1H100, RB118FM-TR, 1N5819WS-13-F

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