LMBR1050G是一种表面贴装的肖特基二极管,由安森美半导体(ON Semiconductor)制造。该器件专为高效率和低导通损耗而设计,适用于多种电源管理应用。LMBR1050G采用了先进的肖特基势垒技术,具有较低的正向电压降,这使其在大电流应用中具有较高的能效。该器件采用紧凑的DO-214AA(SMB)封装,便于在PCB上安装,同时提供良好的热管理和机械稳定性。
类型:肖特基二极管
最大正向电流:1A
最大反向电压:50V
正向电压(最大):0.5V(在1A时)
反向漏电流(最大):50μA(在50V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:DO-214AA(SMB)
引脚数:2
热阻(结至环境):60°C/W
LMBR1050G的主要特性之一是其低正向电压降,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。在1A的正向电流下,其正向电压降最大为0.5V,这使得它在高效率电源转换器中表现出色。此外,该器件具有较低的反向漏电流,最大值为50μA,在50V的反向电压下仍能保持良好的漏电流控制,适用于需要高稳定性的电路。
LMBR1050G采用了先进的肖特基势垒技术,确保了其在高频开关应用中的优异性能。这种技术减少了反向恢复时间,使其适用于高频率整流应用,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器。此外,该器件的热阻为60°C/W,表明其具有良好的热管理能力,能够在较高的环境温度下稳定工作。
LMBR1050G的DO-214AA(SMB)封装提供了紧凑的设计,使其适用于空间受限的应用,同时确保了良好的机械强度和热传导性能。该封装符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,适合环保型电子产品制造。LMBR1050G的工作温度范围为-55°C至+150°C,使其适用于各种严苛的工业和汽车环境。
LMBR1050G广泛应用于电源管理领域,特别是在需要高效率和低导通损耗的场合。其主要应用包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、反激式转换器和同步整流器。在这些应用中,LMBR1050G的低正向电压降有助于减少功率损耗,提高能效,并降低散热需求。
该器件还适用于电池充电器和电源适配器,特别是在便携式电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在这些应用中,LMBR1050G的紧凑封装和高可靠性使其成为理想的选择。此外,该器件可用于汽车电子系统,如车载充电器、LED照明驱动器和车载信息娱乐系统,其宽工作温度范围确保了其在恶劣的汽车环境中仍能稳定运行。
LMBR1050G还可用于太阳能逆变器和能量回收系统,其中高效率和高可靠性是关键要求。在这些应用中,该器件的低导通损耗和高频性能使其能够有效地处理高电流和高频开关操作。
LMBR1050G可以被其他类似规格的肖特基二极管替代,如1N5819、SB150、LMBR10400G等。这些器件具有相似的电气特性和封装形式,适用于相同的电路设计。然而,在替换时应考虑具体的电路要求,如正向电流、反向电压和热管理需求,以确保替换后的器件能够满足应用需求。