时间：2025/8/13 21:01:10
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LMBR0530ET1G是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的肖特基势垒技术，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压：30V
最大平均正向电流：5A
正向电压（IF=5A时）：0.43V（典型值）
反向漏电流（VR=30V时）：20uA（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装
LMBR0530ET1G的主要特性之一是其低正向电压降，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在5A的正向电流下，典型正向电压仅为0.43V，显著低于传统硅二极管，这使得该器件非常适合用于低电压、高电流的DC-DC转换器和电源管理系统。
此外，该肖特基二极管具有快速恢复时间，几乎为零，使其非常适合用于高频开关应用。在高频工作条件下，传统的PN结二极管可能会因为较长的反向恢复时间而产生较大的开关损耗，而LMBR0530ET1G则能够有效避免这一问题，从而提升开关电源的效率和稳定性。
LMBR0530ET1G采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产流程。该封装形式在提供良好散热性能的同时，也保证了器件在高电流工作条件下的可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的环境适应性，能够在恶劣的工业和汽车环境中稳定运行。同时，其封装材料符合RoHS标准，支持绿色环保的电子制造需求。
LMBR0530ET1G广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效、快速开关的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流电路、电源适配器、电池充电器、负载开关、电源管理系统等。由于其低正向电压降和快速恢复特性，该器件在提高能效方面表现出色，特别适合用于节能型电子产品和高密度电源设计。
在同步整流电路中，LMBR0530ET1G常用于替代传统MOSFET整流器中的反向并联二极管，以降低导通损耗并提升转换效率。在电池供电系统中，它可以作为防止反向电流流动的保护元件，确保系统的安全运行。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统中的电源转换模块。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车和工业应用中的理想选择。
MBR0530T1G, B540C-13-F, 1N5819, SR3030
