类型：小信号二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　正向压降（VF）：1.0 V（最大值，@ IF = 10 mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，@ VR = 100 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　安装类型：表面贴装

LMBD914T1G具有出色的高频开关性能，使其适用于需要快速导通和关断的应用。该二极管具有100V的反向耐压能力，可承受较高的电压应力，同时其200mA的正向电流能力足以满足大多数低功率电路的需求。由于采用SOD-123小型封装，LMBD914T1G非常适合空间受限的设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在恶劣的工作环境下仍能保持稳定运行。
　　该二极管还具有较低的结电容，有助于减少高频信号路径中的干扰和损耗，提升电路响应速度。其反向恢复时间（trr）非常短，通常在几纳秒以内，适用于高速开关应用。LMBD914T1G的结构设计优化了电应力分布，提高了器件的耐用性和稳定性。该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品制造。

LMBD914T1G广泛应用于各种电子设备中，包括通信设备、计算机外围设备、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子系统。典型应用包括作为逻辑电路中的开关元件、电源保护电路中的箝位二极管、信号整流和检测电路、以及作为反向电压保护器件。在数字电路中，该二极管可用于构建与门或或门逻辑电路。此外，LMBD914T1G也可用于DC-DC转换器、LED驱动电路以及传感器接口电路中。

1N4148, 1N914