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LMBD7000LT1G IC 发布时间 时间:2025/8/13 1:46:27 查看 阅读:19

LMBD7000LT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用先进的半导体制造工艺,具有快速开关特性和低正向电压降。这款二极管在表面贴装封装(SOD-523)中提供高性能,适用于多种电子电路设计,尤其是在需要高效率和低功耗的应用中。LMBD7000LT1G 广泛用于电源管理、信号整流、反向电压保护以及高频电路中。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):100mA
  最大反向电压(VR):30V
  正向电压(VF):最大0.35V(在100mA时)
  反向漏电流(IR):最大100nA(在25°C时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-523
  安装类型:表面贴装

特性

LMBD7000LT1G 的核心特性之一是其低正向电压降,这使其在整流和功率转换应用中表现出色,能够显著降低能量损耗并提高系统效率。由于采用肖特基结构,该器件具有极快的恢复时间,适用于高频整流和高速开关电路。此外,LMBD7000LT1G 采用小尺寸封装(SOD-523),非常适合空间受限的设计,例如便携式电子设备和高密度PCB布局。
  该二极管的工作温度范围宽广,从-55°C到+150°C,能够适应恶劣的工作环境,适用于工业控制、汽车电子、通信设备和消费类电子产品。其低漏电流特性也确保了在高温下仍能保持良好的性能和稳定性。
  LMBD7000LT1G 的另一个优势是其高可靠性,符合RoHS标准,适用于无铅生产工艺。该器件广泛用于电池供电设备中的反向电压保护、DC-DC转换器中的整流、逻辑电路中的隔离以及射频信号路径中的检波和整流。

应用

LMBD7000LT1G 主要应用于以下几个方面:
  1. 电源管理电路中的整流与隔离,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
  2. 电池供电设备中的反向电压保护,防止因错误连接或反向电流造成损坏。
  3. 高频信号电路中的检波、整流和隔离,如射频接收器前端电路。
  4. 工业控制系统中的信号整流与电平转换。
  5. 汽车电子系统中的稳压与保护电路。
  6. 便携式消费电子产品中的低功耗整流与隔离电路。

替代型号

1N5819WS-13-F, BAS70-05LT1G, RB520S-30T1G, SMBJ30CA, MBR0520LT1G

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