晶体管类型：双NPN晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

LMBB2836LT1G具备多项优异的电气和物理特性，使其在电子设计中非常受欢迎。首先，该器件采用了双NPN晶体管结构，可以在一个封装内提供两个独立的晶体管，从而节省了电路板空间，并简化了布局设计。其次，其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，适用于多种低功耗和中等功率应用场景。此外，LMBB2836LT1G的电流增益（hFE）范围较广，可在110至800之间，这使其能够灵活地适应不同的放大和开关需求。该器件的频率响应高达100MHz，因此在高频放大电路中表现优异。由于其采用SOT-23封装，LMBB2836LT1G具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于高密度PCB设计。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。LMBB2836LT1G的功耗较低，最大为300mW，适合用于电池供电设备，有助于延长设备的使用寿命。

LMBB2836LT1G的应用领域非常广泛。由于其高频响应和高增益特性，该器件常用于射频（RF）放大器、音频放大器和电压调节电路。此外，LMBB2836LT1G的双晶体管结构使其非常适合用于推挽式放大电路和H桥电机驱动电路。在数字电路中，它可以作为开关元件，用于控制LED、继电器和小型马达等负载。LMBB2836LT1G还被广泛应用于电源管理模块、传感器接口电路以及便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该器件还可用于工业自动化设备、测试测量仪器和通信设备，以实现高效能和高可靠性的电路设计。

LMBD2836LT1G, BC847BS, MMBT2222ALT1G