时间：2025/6/13 13:18:51
阅读：10
LMAK50N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。其设计目标是提供高效率和低功耗的解决方案，适用于需要高电流和快速开关性能的应用。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：50A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃~175℃
LMAK50N10具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗。
其栅极电荷也经过优化，确保了快速开关速度，从而减少了开关损耗。
该器件具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性，可以承受瞬态过载情况。
同时，其封装设计支持高效的热量散发，使器件能够在高温环境下稳定运行。
此外，LMAK50N10符合RoHS标准，满足环保要求。
LMAK50N10适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动控制，例如家用电器中的风扇或泵。
3. 负载开关和保护电路，在需要频繁开启/关闭大电流负载的情况下使用。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 其他需要高效功率转换和处理高电流的应用场景。
IRFZ44N
STP50NF10
FDP50N10
IXFK50N10
