类型：栅极驱动器
　　通道数：2
　　工作电压：4.5V至18V
　　最大输出电流（峰值）：1.7A（典型值）
　　传播延迟：最大120ns
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　封装类型：QFN
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　封装尺寸：4mm x 4mm
　　符合AEC-Q100标准：是

LM74502HQDDFRQ1具备多项先进功能，确保其在复杂汽车电气环境中的稳定运行。首先，其双通道栅极驱动能力可独立控制高侧和低侧MOSFET，适用于半桥或全桥拓扑结构。芯片的宽输入电压范围（4.5V至18V）使其适用于多种电源系统，包括12V和24V车载系统。
　　该器件的输出驱动能力强，峰值电流可达1.7A，有助于快速开关MOSFET，降低开关损耗并提高系统效率。其传播延迟时间短且匹配良好（最大120ns），确保上下桥臂之间的同步性能，避免直通（shoot-through）现象的发生。
　　LM74502HQDDFRQ1还内置多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD），以防止器件在异常条件下工作，提升系统安全性。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力，适用于高噪声环境。
　　该器件采用4mm x 4mm QFN封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。同时，其散热焊盘设计有助于提高热性能，确保长时间高负载工作下的稳定性。

LM74502HQDDFRQ1广泛应用于汽车电子系统，特别是电机控制、DC-DC转换器、H桥驱动以及车载电源管理系统。常见应用包括电动车窗控制、电动座椅调节、电动泵驱动、车载逆变器及电池管理系统（BMS）中的MOSFET驱动。由于其AEC-Q100认证和高可靠性设计，该芯片也适用于对安全性和稳定性要求较高的汽车动力系统和底盘控制系统。

DRV8703D-Q1, LM5109B-Q1, IRS2001-Q1