LM5Z30VT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率同步降压 DC-DC 转换器。该芯片具有高频开关能力,能够显著提高电源转换效率,同时减小解决方案尺寸。其内部集成了高侧和低侧 GaN 场效应晶体管 (FET),并采用专有的驱动技术以优化开关性能。
LM5Z30VT1G 的输入电压范围为 4.5V 至 60V,输出电压可通过外部电阻设置在 0.8V 至 36V 之间。该器件非常适合工业、汽车和通信系统中的多种应用,包括分布式电源架构、中间总线转换以及 LED 驱动等。
输入电压范围:4.5V - 60V
输出电压范围:0.8V - 36V
最大输出电流:30A
工作频率:200kHz - 2MHz
封装形式:HTSSOP-20
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
效率(典型值):97%
LM5Z30VT1G 具有以下主要特性:
1. 内置高性能 GaN FET,支持高达 2MHz 的开关频率,从而减少磁性元件的尺寸和成本。
2. 高达 97% 的转换效率,在高温环境下也能保持卓越性能。
3. 支持可调软启动功能,避免上电时的冲击电流。
4. 内置全面的保护功能,包括过流保护 (OCP)、短路保护 (SCP) 和过温保护 (OTP)。使能控制和电源良好指示功能。
6. 简化的外部组件设计,降低了整体 BOM 成本。
7. 封装紧凑,适用于空间受限的应用场景。
LM5Z30VT1G 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的分布式电源系统。
2. 汽车电子,如信息娱乐系统和 ADAS(高级驾驶辅助系统)。
3. 通信基础设施,包括基站电源和路由器。
4. 高亮度 LED 驱动,例如广告屏和照明。
5. 医疗设备和测试测量仪器。
6. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的高效电源适配器。
LM5117MG-SP, LM5118MSE-NOPB