LM5118MHX 时间：2025/12/24 16:35:33 阅读：14

LM5118MHX是一款由Texas Instruments设计的高电压、低侧N沟道MOSFET控制器，用于高效DC-DC降压转换器应用。该器件采用电流模式控制架构，提供宽输入电压范围，适用于工业电源、电池充电器、汽车电子系统等多种应用场景。

参数

控制器类型：低侧N沟道MOSFET控制器
　　控制方法：电流模式
　　输入电压范围：4.5V 至 65V
　　输出电压范围：1.215V 至 65V
　　最大开关频率：1MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 125°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：16

特性

LM5118MHX具有广泛的输入电压范围，适用于多种电源设计需求，从低至4.5V到高达65V的输入电压均可稳定工作。
　　其电流模式控制架构提供了快速的瞬态响应和优异的环路稳定性，确保在负载变化时输出电压的稳定性。
　　该控制器集成了软启动功能，可有效防止启动时的过电流冲击，并支持可调的开关频率设置，最高可达1MHz，有助于减小外部滤波器元件的尺寸。
　　此外，LM5118MHX具备多种保护功能，包括过电流保护、过热保护和欠压锁定，提升了系统的可靠性和安全性。
　　其16引脚TSSOP封装形式提供了良好的热性能，适合在高功率密度应用中使用。

应用

LM5118MHX广泛应用于需要高输入电压和高效率的DC-DC降压转换器设计中。典型的应用场景包括工业自动化设备、电信基础设施、电池供电系统、汽车电子产品以及分布式电源架构。
　　在工业领域，该控制器可用于为PLC、传感器和执行器提供稳定的电源管理。
　　在通信设备中，它适用于为数据传输模块或射频放大器提供高效能电源。
　　在汽车应用中，LM5118MHX可以用于为车载电子系统如信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）提供电源解决方案。
　　此外，该器件还可用于电池充电器和储能系统，提供可靠的电源转换功能。