时间：2025/7/16 18:42:10
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LM5113TMX/NOPB是一款由Texas Instruments推出的高压、高速双通道栅极驱动器集成电路，专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计。该器件具有独立的高边和低边驱动通道，适用于同步降压、升压、半桥和全桥拓扑等高功率应用。LM5113TMX/NOPB采用了先进的CMOS工艺制造，提供出色的抗噪能力和驱动强度，适用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器以及新能源系统等场景。
类型：栅极驱动器
拓扑结构：双通道（High-Side/Low-Side）
最大工作电压：100V
峰值输出电流：2.5A（拉电流/灌电流）
传播延迟：18ns（典型值）
上升/下降时间：5ns/5ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 125°C
封装形式：8引脚VSSOP
驱动能力：适用于MOSFET和IGBT
供电电压范围：6V 至 15V
LM5113TMX/NOPB具备多项高性能特性，首先是其高耐压能力，最大工作电压可达100V，使其适用于高压功率转换系统。其双通道独立驱动架构支持高边和低边配置，能够有效控制同步整流电路和H桥结构中的开关器件。该器件的2.5A峰值输出电流可以快速驱动大功率MOSFET或IGBT，从而降低开关损耗并提高系统效率。
此外，LM5113TMX/NOPB的传播延迟非常短（典型值为18ns），配合快速的上升和下降时间（各5ns），使得高频开关应用成为可能，适用于高功率密度设计。该驱动器还内置欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电电压不足时关闭输出，避免功率器件误操作。
另一个显著优势是其高抗噪能力，得益于CMOS工艺和优化的输入滤波设计，确保在高dv/dt环境下仍能保持稳定工作。该器件还具备低静态电流特性，有助于降低系统功耗，提高整体能效。
在封装方面，LM5113TMX/NOPB采用标准的8引脚VSSOP封装，体积小巧且易于PCB布局，适合高密度电源设计。
LM5113TMX/NOPB广泛应用于各类高功率开关系统中，包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、Boost升压电路、电机驱动系统、H桥拓扑、工业电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及高功率LED驱动等。其高驱动能力和快速响应特性也使其成为数字电源、服务器电源、通信设备电源以及新能源汽车相关电力电子系统的理想选择。
LM5116MM/NOPB, IRS2186STRPBF, UCC27531DRG4
