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LM3Z43T1G 发布时间 时间:2025/8/13 4:54:07 查看 阅读:25

LM3Z43T1G是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压的生成。该器件具有稳定的击穿电压和良好的温度稳定性,适用于各种模拟和数字电路中的电压稳压应用。LM3Z43T1G采用SOD-523封装,具有较小的体积和较高的可靠性,适合在空间受限的电路中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  击穿电压:4.3V(标称值)
  最大齐纳电流:200mA
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOD-523
  引脚数:2
  最大漏电流:100nA(在1V反向电压下)
  最大动态电阻:100Ω

特性

LM3Z43T1G是一款高性能齐纳二极管,具有良好的电压稳定性和温度稳定性。其击穿电压为4.3V,适用于需要精确电压参考的应用。该器件的最大齐纳电流为200mA,能够提供较高的稳压能力。LM3Z43T1G的最大功耗为300mW,能够在较高的环境温度下稳定工作。该齐纳二极管采用SOD-523封装,具有较小的体积,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和紧凑型电路设计。此外,LM3Z43T1G具有较高的可靠性和较长的使用寿命,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。

应用

LM3Z43T1G广泛应用于各种电子设备中,主要用于电压调节和参考电压的生成。例如,在电源管理系统中,该器件可用于提供稳定的参考电压,以确保电源输出的稳定性。在模拟电路中,LM3Z43T1G可以作为基准电压源,用于运算放大器、比较器等元件的偏置电压。此外,该齐纳二极管还可用于过压保护电路,防止电路中的关键元件因电压过高而损坏。由于其较小的封装尺寸,LM3Z43T1G也适用于便携式电子产品和嵌入式系统。

替代型号

LM3Z43T1G的替代型号包括BZX84-C4V3和MM3Z46V。这些型号具有相似的电气特性和封装形式,可根据具体应用需求进行选择。

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