类型：埋入式齐纳电压基准
　　输出电压：约8.0V（典型值）
　　初始精度：±1mV（最大）
　　温度系数：≤ 0.5 ppm/°C（0°C 至 70°C）
　　长期稳定性（年漂移）：≤ 20 ppm/年
　　噪声（0.1Hz 至 10Hz）：≤ 15μVp-p
　　工作电流：0.5mA 至 10mA
　　功率耗散：最高350mW
　　加热器工作电压：约6.4V（内部调节）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-56 金属封装

LM399AH的最显著特性在于其卓越的温度稳定性和极低的长期漂移性能。这一性能主要得益于其内部集成的恒温控制机制。芯片内部包含一个电加热器和一个温度敏感元件，通过外部电阻设置加热电流，使整个齐纳二极管核心维持在约90°C的恒定温度上。这种主动恒温技术极大地削弱了外界环境温度波动对基准电压输出的影响，从而实现了极低的有效温度系数——通常不超过0.5ppm/°C。这意味着即使环境温度在0°C到70°C之间变化，输出电压的变化也几乎可以忽略不计。此外，由于采用了“埋入式齐纳”结构，PN结被深埋于硅衬底内部，远离表面污染和晶格缺陷区域，因此大大降低了表面漏电和老化效应，提升了器件的长期稳定性。实验数据显示，LM399AH在正常使用条件下的年漂移可控制在20ppm以内，经过初期老化后甚至可达10ppm/年以下，适合用作计量级参考源。
　　另一个重要特性是其极低的低频噪声表现。LM399AH在0.1Hz至10Hz频段内的峰峰值噪声电压不超过15μV，这对于高分辨率模数转换器（ADC）、精密放大电路或微伏级信号调理系统至关重要。低噪声意味着更干净的参考电压，能够提高整个系统的信噪比和测量精度。同时，该器件具有较宽的工作电流范围（0.5mA～10mA），允许用户根据功耗与稳定性需求进行优化调整。尽管需要额外的加热电流（通常几毫安），但其所带来的稳定性收益远超功耗代价。此外，TO-56金属封装提供了优良的热传导性和密封性，防止湿气和污染物侵入，进一步保障了器件在恶劣工业环境下的可靠运行。这些综合特性使得LM399AH长期以来被视为高端模拟系统中最具代表性的超高精度电压基准之一。

LM399AH广泛应用于对电压基准精度和稳定性要求极为严苛的电子系统中。其中一个典型应用场景是高端数字多用表（DMM）和自动测试设备（ATE），这类仪器需要长时间保持测量结果的一致性和准确性，而LM399AH提供的低漂移、低温漂和低噪声特性正好满足其核心需求。在精密数据采集系统中，尤其是使用24位及以上分辨率ADC的系统中，参考电压的稳定性直接决定了系统的有效位数（ENOB），因此LM399AH常被选作主基准源以提升整体测量精度。此外，在校准实验室或计量机构中，该器件也被用于构建可追溯的标准电压源，作为其他设备的比对基准。
　　在工业控制和过程自动化领域，LM399AH可用于高精度传感器信号调理模块、PLC模拟输入卡、精密电流/电压源设计中，确保系统在整个生命周期内维持一致的性能表现。科研仪器如质谱仪、示波器、锁相放大器等同样依赖此类高性能基准来保证实验数据的可信度。另外，在航空航天和国防电子系统中，由于工作环境复杂且维修困难，元器件的长期可靠性尤为重要，LM399AH的密封金属封装和稳定特性使其成为理想选择。虽然现代已有部分新型基准（如LTZ1000系列）在某些指标上超越LM399AH，但由于其成熟的设计、可靠的供货记录和广泛的工程验证，LM399AH至今仍在许多关键系统中服役。