您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LM110D

LM110D 发布时间 时间:2025/9/30 3:21:12 查看 阅读:5

LM110D是一款高精度、高速度的电压基准芯片,由美国国家半导体公司(National Semiconductor,现为TI的一部分)设计制造。该器件属于早期高性能电压基准系列之一,主要用于需要稳定参考电压的模拟和混合信号系统中。LM110D能够在宽温度范围内提供高度稳定的输出电压,典型值为10.000V,具有极低的长期漂移和出色的温度稳定性。它采用金属罐封装(TO-99),适合对可靠性要求较高的工业、军事及航空航天应用。LM110D通过外部调整引脚可微调输出电压,使其在精密测量设备、数据采集系统、数字电压表(DVM)、自动测试设备(ATE)以及电源监控电路中得到了广泛应用。尽管该芯片已逐渐被更新型号如LM399或LTZ1000等取代,但由于其良好的性能表现,在一些老式高端仪器和维修替换场景中仍被使用。该器件工作时通常需要配合外部散热措施以确保热稳定性,并且推荐使用低漏电电容来滤波以减少噪声影响。

参数

型号:LM110D
  类型:电压基准
  输出电压:10.000 V(典型值)
  初始精度:±0.5% 至 ±1%
  温度系数:5 ppm/°C(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装形式:TO-99 金属罐封装
  引脚数:8
  长期稳定性:50 ppm/1000小时
  输出电流能力:±5 mA
  电源电压范围:15 V 至 40 V
  动态阻抗:< 0.5 Ω
  噪声电压(0.1 Hz 至 10 Hz):< 20 μVpp
  调整引脚:具备外部电压微调功能

特性

LM110D的核心特性之一是其卓越的温度稳定性,这使得它能在极端环境条件下依然保持高精度的参考电压输出。该芯片内部集成了一个经过修整的齐纳二极管作为基准源,并结合了温度补偿电路以减小因环境变化引起的误差。其温度系数最大仅为5 ppm/°C,在整个军用级温度范围内(-55°C至+125°C)能够维持极高的电压稳定性,适用于对温漂极为敏感的应用场合。
  另一个关键特性是其长期稳定性表现优异,典型值为50 ppm每1000小时,这意味着在长时间运行过程中,输出电压的变化非常小,极大提升了系统的可靠性和校准周期间隔。此外,LM110D配备了外部微调引脚,允许用户通过外部电阻网络对输出电压进行精细调节,从而补偿系统中的其他元件误差,进一步提高整体测量精度。
  该器件还具备较强的驱动能力,可提供高达±5mA的负载电流,支持直接驱动多路ADC、DAC或其他需要参考电压的模拟前端电路。其低动态输出阻抗(小于0.5Ω)有助于抑制负载变化带来的电压波动。同时,LM110D在低频段(0.1Hz至10Hz)的噪声表现优秀,峰峰值电压噪声低于20μV,确保在精密测量系统中不会引入显著的随机误差。
  由于采用TO-99金属密封封装,LM110D具有良好的防潮性、抗辐射性和机械强度,适合用于高可靠性应用场景,如航天电子、军事通信设备和高端测试仪器。虽然其功耗相对较高,需注意热管理设计,但其稳定性与精度优势使其在特定领域仍然具备不可替代的价值。

应用

LM110D广泛应用于对电压基准精度和稳定性要求极高的电子系统中。在精密测量仪器领域,如数字电压表(DVM)、万用表校准仪和示波器内部基准源中,LM110D提供了可靠的10V参考电压,确保测量结果的准确性和重复性。在自动测试设备(ATE)中,该芯片常用于构建高精度测试平台,为被测器件提供稳定的激励信号或作为ADC/DAC的参考基准。
  在数据采集系统(DAQ)中,尤其是在多通道同步采样系统中,LM110D作为共用参考源可以有效降低通道间偏差,提升系统整体线性度和信噪比。在工业控制系统中,例如PLC模块、过程控制器和传感器信号调理电路中,该芯片用于生成高稳定性的偏置电压或激励电压,保障控制精度。
  此外,LM110D也常见于实验室电源、标准源发生器和计量设备中,作为可追溯的标准电压源使用。由于其具备军品级温度范围和金属密封封装,因此在航空航天、国防雷达系统和卫星通信设备中也有部署,用于关键子系统的电源管理和信号处理单元。
  尽管现代已有更低噪声、更低温漂的基准源(如LTZ1000A或LM399),但在一些老旧设备维护、逆向工程或特定兼容性需求场景下,LM110D依然是重要的替换选择。其成熟的电路设计和丰富的应用经验也为工程师提供了可靠的技术支持基础。

替代型号

LM399H\nLT1019-10\nREF1004-10\nADR4510

LM110D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价