时间：2025/7/11 15:48:25
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LM-LBSS139LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率开关晶体管，广泛应用于高频电源转换、DC-DC 转换器和无线充电等场景。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，可显著提高系统的效率和功率密度。
这款 GaN 器件在设计时充分考虑了高频应用的需求，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业电源和通信设备等领域。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN)
导通电阻：60 mΩ（典型值）
击穿电压：150 V
栅极电荷：1.2 nC
连续漏极电流：12 A
封装形式：LLP8x8
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
LM-LBSS139LT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻和栅极电荷，有助于减少传导损耗和开关损耗。
2. 高频性能优越，适合 MHz 级别的开关频率应用。
3. 内置优化的 ESD 保护电路，增强了器件的鲁棒性。
4. 具备快速开关能力，能够有效降低电磁干扰 (EMI)。
5. 支持零电压开关 (ZVS) 拓扑，进一步提升效率。
6. 小尺寸封装，易于集成到紧凑型设计中。
该芯片的主要应用场景包括：
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. USB-PD 快速充电适配器。
3. 无线充电发射端模块。
4. 数据中心和服务器电源供应。
5. 工业级电机驱动控制。
6. 激光雷达 (LiDAR) 和其他高性能脉冲电源系统。
LM-GH150R060DA1, GS66508T, EPC2015C
