电容：47nF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X5R（-55°C ~ +85°C, ±15%）
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　介质材料：陶瓷（X5R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端子类型：镍阻挡层电极
　　产品系列：LLS
　　高度：约1.2mm
　　电容温度系数：ΔC/C ≤ ±15%
　　老化率：典型值为≤2.5%每十年

LLS1C473MELC采用X5R陶瓷介质，具备出色的温度稳定性，能够在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持电容值的变化不超过±15%。这一特性使其在环境温度波动较大的应用场景中依然能够维持稳定的性能表现，尤其适用于工业级和消费类电子产品中的电源去耦和滤波电路。相比Y5V等介质材料，X5R在温度稳定性方面有明显优势，虽然其介电常数略低，但综合性能更均衡，适合大多数通用去耦应用。
　　该电容器的额定电压为16V DC，能够满足多数低压电源系统的使用需求，如3.3V、5V或12V供电系统中的旁路与储能功能。尽管实际使用时建议降额使用以提升可靠性，但在正常工况下，16V的耐压足以应对瞬态电压波动。此外，其47nF的电容值处于中等范围，既可用于高频噪声滤除，也可作为中频信号耦合元件，在音频处理、传感器接口和数据转换器前端电路中均有广泛应用。
　　LLS1C473MELC采用0805（2012）小型化封装，便于自动化贴片生产，兼容标准SMT工艺流程。其镍阻挡层端子结构不仅增强了焊接可靠性，还有效防止了银离子迁移问题，提升了长期使用的稳定性。这种设计特别适合经历多次回流焊或高温工作的产品制造过程。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅及其他有害物质，适用于全球市场的电子设备出口需求。
　　在电气性能方面，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于提高高频去耦效率，减少电源噪声对敏感电路的影响。因此，它常被用于微控制器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源引脚附近，作为局部能量存储元件，快速响应瞬态电流变化。此外，由于陶瓷电容器本身无极性，安装方向不受限制，进一步简化了PCB布局与装配流程。

LLS1C473MELC广泛应用于各类电子设备中，主要作为去耦电容用于集成电路的电源引脚，确保供电稳定并抑制高频噪声干扰。在数字系统中，尤其是在微处理器、DSP、FPGA等高速逻辑器件的电源网络中，该电容器可有效滤除开关噪声，降低电源阻抗，提升系统抗干扰能力。其47nF的电容值与X5R介质特性相结合，使其在数百kHz到几十MHz频率范围内表现出良好的阻抗特性，是构建多级滤波网络的理想选择之一。
　　在DC-DC转换器和开关稳压电源中，LLS1C473MELC常用于输入和输出端的滤波电路，配合更大容量的电解电容或钽电容，形成宽频段滤波组合，从而平滑电压纹波并抑制电磁干扰（EMI）。由于其低ESR特性，有助于减少功率损耗并提升转换效率。此外，在模拟信号链路中，如运算放大器、ADC/DAC前后级耦合与滤波电路中，该电容器可用于交流信号通路中的隔直与滤波，保证信号完整性。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴装置也大量采用此类小尺寸、高性能的MLCC。LLS1C473MELC因其小型化封装和可靠的电气性能，非常适合空间受限的高密度PCB布局。在工业控制领域，如PLC模块、传感器信号调理电路、电机驱动控制器中，该器件同样发挥着关键作用，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　此外，通信设备如路由器、交换机、基站模块等对电源质量要求较高，常利用该型号进行局部电源去耦和射频前端滤波。其符合RoHS标准的特点也使其适用于出口型产品和环保认证项目。总体而言，LLS1C473MELC是一款通用性强、可靠性高的表面贴装陶瓷电容器，适用于多种中低压、中高频电路场景。

GRM21BR71C473KA01L
　　CL21A473KPFNNNE
　　C2012X5R1C473K
　　ECJ-2VB1H473KC