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LLL317R71H223MA01K 发布时间 时间:2025/6/27 5:43:11 查看 阅读:4

LLL317R71H223MA01K 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该芯片适用于多种电力电子应用场合,具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等领域。
  LLL317R71H223MA01K 的封装形式为TO-247,这种封装能够提供良好的散热性能和电气连接稳定性。此外,该器件在设计上注重可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

参数

最大漏源电压:1200V
  最大连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:3600pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  结温:175℃

特性

LLL317R71H223MA01K 拥有出色的电气特性和机械性能。其主要特点包括:
  1. 高耐压能力,支持高达电压,使其适合高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(1.8mΩ),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关特性,栅极电荷仅为95nC,确保高效的开关操作。
  4. 具备优秀的热稳定性和可靠性,可承受恶劣的工作条件。
  5. 使用TO-247封装,提供大尺寸引脚以改善散热效果。
  6. 支持高频率操作,适用于高频电力电子变换设备。
  7. 在整个温度范围内表现出色,能够满足工业级和汽车级应用的需求。

应用

LLL317R71H223MA01K 主要用于以下领域:
  1. 工业电源系统中的开关元件。
  2. 电机驱动器中的功率控制组件。
  3. 新能源领域的逆变器和转换器电路。
  4. DC-DC转换器的核心功率开关。
  5. 高效太阳能发电系统的功率调节模块。
  6. 车载充电器及电动汽车牵引逆变器。
  7. 大功率LED照明驱动电路中的关键元件。

替代型号

LLL317R71H223MB01K
  IRFP460
  FDP18N120

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LLL317R71H223MA01K参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.022 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in0612 (Reversed)
  • 外壳代码 - mm1632 (Reversed)
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品Reversed Geometry Low ESL Type
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF22 nF
  • Capacitance - pF22000 pF
  • 尺寸3.2 mm W x 1.6 mm L x 0.7 mm H
  • 封装 / 箱体0612 (Reversed)
  • 系列LLL
  • 端接类型SMD/SMT