LLA215R71E103MA14K 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。它采用了先进的封装技术,具有较低的寄生电感和较高的热导率,适用于高频 DC-DC 转换器、电源适配器以及其他高功率密度的应用场景。
该器件具有出色的开关性能和低导通电阻,能够显著提高系统效率并减少热量产生。同时,其小型化的封装也使其非常适合对空间要求严格的现代电子设备。
型号:LLA215R71E103MA14K
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压 (Vds):650 V
最大栅源电压 (Vgs):±8 V
导通电阻 (Rds(on)):150 mΩ
连续漏极电流 (Id):30 A
开关频率:最高可达 5 MHz
封装形式:DFN8
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
LLA215R71E103MA14K 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓 (GaN) 技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
2. 小型 DFN8 封装,有效降低寄生电感,提升整体性能。
3. 支持高达 5 MHz 的开关频率,适合高频应用。
4. 具有良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定运行。
5. 提供高可靠性,在极端温度范围内表现优异。
6. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,增强系统的安全性。
LLA215R71E103MA14K 广泛应用于以下领域:
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 开关电源 (SMPS) 和电源适配器
3. 无线充电设备
4. 电机驱动和工业自动化
5. 汽车电子系统中的逆变器和转换器
6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源解决方案
由于其卓越的高频特性和效率,该器件非常适合需要高性能和小体积的设计。
LLA215R71E103MA14J
LLA215R71E103MA14H