类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　漏源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为9.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LHT860N具有多项优异的电气和物理特性，适用于高要求的功率转换和控制应用。其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力和高耐压能力使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于电源开关、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，有助于降低RDS(on)并提高开关性能。其封装形式具备良好的热传导性能，可在高功率密度设计中提供可靠的散热支持。此外，LHT860N的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V~20V），兼容多种驱动电路，如微控制器、专用驱动IC等。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力和较强的短路耐受能力，使其在突发过载或异常工作条件下仍能保持稳定运行，提升系统的可靠性。其内部结构优化设计也降低了开关损耗，有助于提高高频应用中的整体能效。

LHT860N广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效能电源系统。
　　2. **电机驱动**：用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，提供高效的功率控制，适用于工业自动化设备、机器人、电动工具等应用场景。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电管理、保护电路开关控制，适用于电动汽车、储能系统、便携式设备等。
　　4. **汽车电子**：如车载逆变器、车身控制模块、LED照明驱动等，适用于对可靠性要求较高的汽车环境。
　　5. **消费电子**：如电源适配器、充电器、智能家电等，实现高效率和小型化设计。

SiHF60N60E, FDP60N60E, IPB60N60E, STP60NF06, IRFZ4800